闪存有望实现前所未有的速度和容量

说没有任何障碍，但闪存和其他相关技术的未来将充满希望。

3D NAND的未来

很多分析师认为，供应商将继续在3D NAND闪存中添加层，直到不能再添加为止。预计到2021年将有192层3D NAND，到2022年将有256层设备。Forward Insights公司总裁兼首席分析师Gregory Wong表示，他预计供应商将继续增加层数以及位密度，同时降低总体成本。但是，他指出：“增加层的代价是不断增加的资本支出、更高的流程复杂性和更长的处理时间。”

Coughlin Associates公司总裁Tom Coughlin对此表示同意，随着设备使用更薄的层和层字符串技术，层数将继续增加。但是，这些层的薄度和沉积速度会有限制，他说：“增加层数将导致更长的晶片生产时间，并需要更多的晶片资本设备，最终需要新的工厂生产。”

由于生产问题，3D NAND降低每GB成本的速度将下降–在没有其他技术进步的情况下，最值得注意的是每个单元使用多个位的能力。但是，每个单元更多的位会导致性能降低，因为需要更多的错误校正，而且还会降低单元的耐用性。他说，要取得成功，“传统的垃圾收集将需要改变，特别是必须减少擦除/写入周期。”这将需要使用缓存写入数据等方法。

QLC和PLC NAND的未来

NAND闪存的未来必然将围绕着每单元的位数。Wong说，在过去的一年中，四级单元(QLC)NAND(每单元4个位)的使用主要集中在PC上，但是这种情况将会改变。“今年，我们将会看到QLC驱动器用于超大规模数据中

（编辑：南通站长网）

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